Vitesco Technologies y GaN Systems anunciaron una asociación estratégica para desarrollar conjuntamente la tecnología de semiconductores de potencia de GaN.

Vitesco Technologies, proveedor internacional líder de tecnologías y soluciones de tren motriz para la movilidad eléctrica, dio a conocer que la asociación estratégica con GaN Systems Inc., ayudará a aumentar la autonomía de los vehículos y a mejorar aún más la eficiencia energética total de los automóviles, gracias a la electrónica de potencia basada en la tecnología GaN.

GaN Systems es un reconocido desarrollador líder de transistores de potencia de nitrato de galio entre otros, que ofrece sus productos a la industria automotriz.

Como parte de la asociación estratégica, Vitesco Technologies está adquiriendo una participación minoritaria de GaN Systems.

Tecnología para aumentar la autonomía del vehículo

Actualmente, los transistores basados en GaN son todavía nuevos para uso automotriz, pero con el desarrollo conjunto que llevarán a cabo GaN Systems y Vitesco Technologies, estarán disponibles aplicaciones automotrices altamente atractivas.

La electrónica de potencia basada en la tecnología GaN ayudará a aumentar la autonomía del vehículo y a mejorar aún más la eficiencia energética total de un vehículo eléctrico.

“Compartimos una larga trayectoria en electrónica de potencia con nuestro nuevo socio GaN Systems. Al combinar nuestro conocimiento automotriz con la experiencia en GaN de nuestro socio, podremos aprovechar los beneficios de esta amplia tecnología de banda ancha en el automóvil”, dijo Thomas Stierle, miembro del Executive Board de la unidad de negocios de Tecnología de Electrificación.

Por su parte, Jim Witham, CEO de GaN Systems, señaló: “Los transistores GaN son la tecnología de sistemas de energía del futuro. El material permite una electrónica de potencia más pequeña, más eficiente y de menor costo. Para nosotros, es una excelente oportunidad para abordar el mercado automotriz
global al asociarnos con Vitesco Technologies”.

Cabe destacar que los innovadores materiales semiconductores de banda ancha como GaN y Carburo de Silicio (SiC) facilitan frecuencias de conmutación mucho más altas, tienen menores pérdidas de calor, lo que hace que su integración en productos compactos sea más fácil y rentable.